Особенности использования транзисторов в сотовой аппаратуре

При конструировании, изготовлении и эксплуатации радиоаппаратуры следует принимать во внимание ее специфические характеристики. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.

Полупроводниковые приборы сохраняют свои характеристики в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в больших пределах. Эти условия характеризуются внешними ударными нагрузками и климатическими воздействиями (температурными и др.).

Общие требования, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного класса, есть в общих технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному виду транзистора, содержатся в частных технических условиях.

Для удобства конструирования и ремонта основные аналоги транзисторов и их цоколевка приведены в справочнике. К преимуществам Интернет справочника надо отнести его общедоступность, пополняемость, быстрый поиск искомого транзистора по маркировке и аналогу.

Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры транзисторов и свойства могут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление биполярных транзисторов рассчитано на их применение в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации. Важно помнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами следует покрывать лаком не менее чем в три слоя.

Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, разработанные для применения в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, но оно не дает хорошей защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.

Чтобы осуществить долголетнюю и безотказную работу сотовой аппаратуры, конструктор должен не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и осуществить соответствующие условия ее эксплуатации и хранения.

Транзисторы - трехполюсники универсального назначения. Они могут быть без нареканий использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других аппаратах. Однако набор параметров и характеристик, находящихся в Интернет справочнике, соответствует первоочередному назначению транзистора. В справочнике даны значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим трехполюсника в ремонтируемом устройстве часто отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ.

Значения большинства характеристик транзисторов зависят от проектируемого режима и температуры, причем с увеличением температуры значения параметров от режима заметно более сильно. В справочнике приведены, как правило, типовые (усредненные) зависимости характеристик транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимости обязаны использоваться при установке типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения параметров транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором диапазоне. Данный диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение.

При разработке полупроводникового оборудования необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших характеристик транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при ремонте могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — способом граничных испытаний.

Полевые трехполюсники с управляющим р-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.

В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых рабочая область составляет от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы сохраняют большое входное сопротивление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.
Все о ремонте